Sub-30 Nm Sample Preparation And Limited-Angle Stem Tomography H/F - CEA

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.


Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.


Implanté au coeur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.


Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :


- La conscience des responsabilités

- La coopération

- La curiosité

As semiconductor devices become smaller and more complex, structural information from 2D STEM images becomes harder to interpret because projection effects and overlapping features through conventional FIB lamellae can obscure nanoscale structures.

The internship will improve both sample preparation and STEM characterization. Lamellae thinner than 30 nm will be prepared using FIB milling followed by low-energy argon-ion polishing.

Limited-angle electron tomography will then reconstruct the central slice of the FIB lamella to reduce projection effects. The results will be compared with a full 3D volume reconstructed using deep-learning approaches.

Master 2 in materials science, physics or equivalent, with programming skills.