Thèse Caractérisation des Défauts dans les Jonctions des Mosfet Fabriqués à Bas Budget Thermique H/F - Doctorat.Gouv.Fr

Établissement : Université Grenoble Alpes École doctorale : EEATS - Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal Laboratoire de recherche : Centre de Radiofréquences, Optique et Micro-nanoélectronique des Alpes Direction de la thèse : Quentin RAFHAY ORCID 0000000327970106 Début de la thèse : 2026-10-01 Date limite de candidature : 2026-12-01T23:59:59 Rejoignez le CEA-Leti et le CROMA pour analyser en profondeur les jonctions d'une nouvelle technologie. Nos transistors sont fabriqués avec un budget thermique limité pour l'intégration séquentielle en 3D, ce qui rend l'activation des dopants très difficile. Notre équipe vous apportera son soutien technique et scientifique pour mener à bien ces travaux. Certaines données sont déjà disponibles et n'attendent plus que votre analyse.
Au cours de ce doctorat, vous aurez l'occasion de caractériser en profondeur
Une idée initiale (simulation, bibliographie, TCAD) 20 %
La Compréhension des procédés (implantation, SPER) 10 %
Accompagnée de :
La gestion de l'intégration et de la fabrication en salle blanche 10 %
La caractérisation (physique et électrique : bruit, DLTS...) 50 %
Et la valorisation (présentations, article) 10 %
Ce doctorat offre une chance unique d'être à la pointe de l'innovation technologique et d'avoir un impact significatif dans le domaine du SOI avancé. Rejoignez-nous et faites le premier pas vers une carrière passionnante dans la recherche et le développement !
L'intégration séquentielle 3D est considérée comme une technologie clé pour les noeuds avancés. Cette technologie d'empilement permet des interconnexions à haute densité entre les couches grâce à l'alignement lithographique au cours du processus séquentiel. Dans le segment « More Moore », l'intégration séquentielle 3D, telle que le « nanostack » d'IBM, est envisagée comme une alternative aux coûteuses technologies CFET (TSMC, Imec) pour les noeuds subnanométriques. D'autre part, pour les applications « More than Moore », une application décisive a été identifiée : les capteurs intelligents. Plusieurs équipes de R&D industrielles (ST, Sony...) combinent l'intégration séquentielle 3D et le bonding hybride pour fournir un pixel à 3 couches ultra-miniaturisé. Cependant, un moyen d'améliorer les performances des photodiodes consiste à remplacer le silicium par du germanium (ou du GaN) comme matériau de détection, ce qui impose un budget thermique strict pour le traitement de deuxième niveau. Cette stratégie est mise en oeuvre dans la ligne pilote FAMES. Caractérisation des défauts dans les jonctions des MOSFET froid par des méthodes dynamiques revisitées.

Avec une formation en microélectronique ou en nanotechnologies, vous êtes curieux.se de découvrir l'intégration de nouveaux procédés, vous n'avez pas peur des équations et vous aimiez les cours sur les semi-conducteurs à l'école. Vous aimez résoudre des casse-têtes complexes et appréciez de collaborer avec d'autres professionnel.le.s pour trouver des solutions innovantes.