Ingénieur Caractérisation et Fiabilité de Composants Photonique sur Si H/F - 38

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au coeur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

- La conscience des responsabilités
- La coopération
- La curiositéPourquoi nous rejoindre ?
Les technologies dites « Photonique sur silicium » sont depuis quelques années au centre des plus importants développements technologiques mondiaux, notamment pour assurer des transmissions de données massives à très haut débit (> 100 Gbits/s). Les applications sont diverses allant de l'IA au calcul quantique en passant par les capteurs optiques. Les circuits PIC (Photonics Integrated Circuit) sont envisagés comme une solution compatible « CMOS » pour intégrer des transferts de données directement sur silicium afin d'augmenter la vitesse de calcul entre les différents pôles électroniques au sein de la puce. Au même titre que les technologies microélectroniques standards, les circuits PIC sont soumis à la miniaturisation, l'empilement 3D et le co-packaging. Ces voies d'améliorations de performances nécessitent l'intégration de composants électroniques et optiques fiables.

Vos missions
Dans le cadre de ce poste, vous êtes en charge de caractériser, comprendre et optimiser la dégradation des dispositifs unitaires (photodiodes, photomodulateurs...) des circuits PIC fabriqués sur des wafers Si 300mm.
Vous travaillez en équipe avec William et Krunoslav dans le cadre d'un partenariat industriel visant à évaluer la fiabilité et les dégradations électro-optiques des dispositifs HSPM (High Speed Phase Modulator) et HSPD (High Speed PhotoDiode) sur wafer.
Vos actions quotidiennes seront
développer des setup de mesure de dégradation sous lumière (sources O/C band) et sous condition « dark » afin de caractériser la durée de vie des composants sous des conditions de vieillissement sur prober,
développer une solution de mesures RF électro-optiques sous pointes jusqu'à 110 GHz afin d'accéder aux variations de performances RF des composants lors de leur vieillissement,
Comprendre et modéliser avec des lois empiriques et physiques les données expérimentales (avec/sans illumination) concernant la dégradation des paramètres électro-optiques,
Réaliser des simulations TCAD afin de comprendre la physique de la dégradation accélérée et les zones potentiellement critiques dans la structure interne des composants,
Extraire des durées de vies dans des conditions nominales de fonctionnement des composants basées sur les modèles de dégradations.
Assurer le reporting et présentations devant les partenaires industriels durant des réunions techniques,
Assurer la validité des data et leur durabilité pour un transfert aux différentes équipes concernées.