Stage - Etude Électrique du Comportement Dynamique des Transistors Gan à Haute Mobilité H/F - 38

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au coeur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

- La conscience des responsabilités
- La coopération
- La curiositéRejoignez-nous en Stage !

CEA Tech Corporate from CEA Tech on Vimeo.
En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

Description du stage
Vous souhaitez contribuer à un domaine de recherche qui développe des solutions technologiques pour une électronique plus durable ?
Rejoignez la communauté de l'électronique de puissance, car nos recherches sont essentielles pour réduire la consommation d'énergie et soutenir la transition énergétique. Ce stage offre une opportunité unique d'élargir vos connaissances sur les Transistors à Haute Mobilité Électronique à base de GaN (HEMT), qui sont des dispositifs de pointe pour réduire la consommation électrique des data centers. C'est un défi crucial aujourd'hui avec l'explosion des applications d'IA hébergées dans ces centres de données, où nous dépendons encore de dispositifs fabriqués à base de silicium et relativement inefficaces pour la conversion d'énergie.

Vous travaillerez aux côtés d'une équipe multidisciplinaire spécialisée dans l'ingénierie des matériaux semi-conducteurs, la simulation de dispositifs et la caractérisation électrique. Votre sujet portera sur l'étude de la dynamique des porteurs de charge afin de mieux évaluer la fiabilité des dispositifs de puissance HEMT. Plus précisément, les dérives de la résistance à l'état passant et de la tension de seuil dues aux mécanismes de piégeage des charges sont cruciales pour comprendre le fonctionnement des transistors. En analysant leur comportement électrique, avec l'aide de nos experts, votre travail permettra à l'équipe d'optimiser l'architecture des dispositifs et d'atteindre une efficacité encore plus grande.

En contribuant au développement des HEMT, vous allez acquérir des connaissances complètes en ingénierie des processus, caractérisation électrique et simulation TCAD (Technology Computer-Aided Design). Si vous êtes passionné(e) par l'innovation, l'élargissement de vos compétences et aimer relever des défis technologiques, ce rôle enrichira considérablement votre carrière !