Ingénieur Chercheur Caractérisation Transport Électronique Tr Fdsoi - Postdoc - Grenoble H/F - 38

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au coeur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

- La conscience des responsabilités
- La coopération
- La curiositéNous rejoindre, pour faire quoi ?
Vous souhaitez approfondir vos compétences et contribuer à des projets de recherche appliquée d'envergure ? Rejoignez le CEA pour un post-doctorat en microélectronique, et mettez vos connaissances au service de technologies de miniaturisation qui sont à la base de solutions sûres et économes en énergie (Projet NextGen - France2030). Le CEA est le premier organisme de recherche déposant de brevets en Europe et le deuxième déposant français, une position qui témoigne de notre impact dans le domaine de l'innovation.
Description du labo/équipe :
Vous intégrerez une équipe pluridisciplinaire de recherche composée d'une trentaine d'experts collaborant avec des partenaires industriels de premier plan. Focalisée sur le développement de méthodes de caractérisation électrique et de fiabilité pour des composants microélectroniques (transistors, mémoire, puissance, MEMS), cette équipe couvre toutes les étapes, de l'instrumentation, des mesures électriques, de l'extraction des paramètres électriques et de leur modélisation analytique et/ou numérique pour remonter aux propriétés physiques des composants afin de faire des boucles d'apprentissage pour améliorer les performances des ces composants.
Vos missions :
Votre mission consistera à explorer et optimiser les méthodes d'extraction des paramètres régissant le transport électronique dans les transistors FDSOI avancés. En effet, avec la miniaturisation et l'ajout de boosters technologiques, il est nécessaire d'extraire très précisément des paramètres clés tels que la mobilité des porteurs (électrons, trous) ou les résistances d'accès Source/Drain pouvant amener à remettre en cause les méthodes utilisées jusqu'à présent. Vous interviendrez sur toute la chaîne de mesure et d'analyse, en étroite collaboration avec des experts en instrumentation, caractérisation électrique, développement technologique et simulation, et serez impliqué(e) dans des mesures, traitement des données, analyses et possiblement simulations numériques (TCAD).
Pour vous donner un aperçu de nos travaux dans ce domaine, voici quelques publications récentes sur des sujets similaires que vous pourriez explorer pendant votre post-doctorat :
- S. Cristoloveanu and G. Ghibaudo, Intrinsic Mechanism of Mobility Collapse in Short MOSFETs, IEEE TED, VOL. 68, NO. 10, OCTOBER 2021, https://doi.org/10.1109/TED.2021.3105083
- A. Royet et al., Calibration Insights of Phosphorus Diffusion Model for NMOS FDSOI : Pathway to Advanced Technology Nodes, SISPAD 2024, https://doi.org/10.1109/SISPAD62626.2024.10733008