Ingénieur Chercheur en Caractérisation Matériaux Microélectronique - Post Doc - Grenoble H/F - 38

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au coeur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

- La conscience des responsabilités
- La coopération
- La curiositéDescription du labo/équipe :
Vous intégrerez une équipe pluridisciplinaire de recherche composée d'une trentaine d'experts collaborant avec des partenaires industriels de premier plan. Focalisée sur le développement de caractérisations électriques innovantes pour la microélectronique, cette équipe couvre l'ensemble des champs de la caractérisation électrique pour la microélectronique depuis les tests paramétriques jusqu'au caractérisations et modélisations électriques les plus avancées dans les domaines divers de l'électronique digitale, l'électronique de puissance, les mémoires, les empilements 3D et les microsystèmes.

Vos missions :
Votre mission consistera à mettre en oeuvre des caractérisations électriques de spectroscopie de pièges (DLOS, DLTS, admittance) sur les matériaux et dispositifs à grand gap. Elle se situe dans le cadre élargie de collaborations récentes avec des laboratoires universitaires, et fait suite à des premiers travaux qui ont permis de développer une même architecture de test sur différents sites.
Ce travail de post doc devra dans un premier temps permettre la finalisation des bancs de mesure développés pour ces caractérisations DLTS et DLOS en s'assurant de leur maîtrise (contrôle en température, transitoires de capacité, spectroscopie lumineuse...). Outre la maîtrise de la mesure, l'interprétation des résultats requiert une bonne connaissance de l'état de l'art et un temps suffisant sera dédié à son approfondissement. Les études qui seront ensuite menées dans ce cadre se feront sur plusieurs matériaux à grand gap en commençant par le SiC. Ce sujet se prête largement à la valorisation des résultats par publication. En parallèle de cette technique, le cadre collaboratif pourra initier une thèse sur la même perspective d'analyse de défauts et le post doc pourra participer à l'encadrement de ces recherches.

Voici quelques publications récentes :
(1) D.V. Lang, Deep level transient spectroscopy : A new method to characterize traps in semiconductors, J. Appl. Phys. 45 (7) 3023, 1974.
(2) I. Caplan et al, Majority and minority charge carrier traps in n-type 4H-SiC studied by junction spectroscopy techniques, electron. Mater., 3(1) 115, 2022.
(3) A. Armstrong et al, Deep level optical spectroscopy of GaN nanorods, J. Appl. Phys.106, 053712, 2009.
Et un aperçu de nos travaux dans ce domaine :
E. Vandermolen, C. Leroux, A. Abbas, P. Godignon, C. Le Royer, J. Biscarrat, F. Ducroquet, DLTS Investigation of Implantation-induced Defects in 4H-SiC Power Diodes Oral presentation at Wocsdice-Exmatec 19-23 may 2024, Heraklion (crete), session SiC devices.